英特爾俄亥俄芯片廠安裝首根主桁架，完工目標推遲至 2030 年

10 月 21 日，英特爾宣布，施工人員已在俄亥俄州新奧爾巴尼新建晶片廠安裝第一根主要結構桁架，下一階段施工開始。英特爾代工負責人 Naga Chandrasekaran 在公司網站發文稱，這是擴大美國先進半導體製造產能的又一步。

該廠原計劃 2025 年開始生產晶片，英特爾現將完工目標推遲至 2030 年。同址第二座俄亥俄晶圓廠計劃於 2031 年完工，廠址位於哥倫布東北。延遲與首席執行官 Lip-Bu Tan 任內對代工業務的重新校準有關。Tan 於 2025 年接任後採取更謹慎策略，傾向於在客戶需求明確後再推進大規模建廠。該項目最初由前首席執行官 Pat Gelsinger 推動，旨在為外部客戶代工。

截至 2025 年末，英特爾已在亞利桑那晶圓廠高量產最先進的 18A 晶片，目前主要用於自有處理器，尚未獲得大型外部客戶。Chandrasekaran 同日還宣布，亞利桑那下一座晶圓廠的運營預計於 2028 年底前開始，施工與設備安裝正在進行。2025 年 9 月有報導稱，SK 海力士可能與英特爾洽談在俄亥俄廠租賃部分代工空間生產儲存晶片，雙方均未確認任何計劃。