英偉達要求三星等生產定制化 NVHBM

英偉達已要求三星電子、SK 海力士和美光科技採用台積電 3nm 製程的基底裸片為其生產 NVHBM，核心裸片則採用第六代 DRAM 技術。三星電子已決定接受英偉達的技術要求，但對涉及客戶的事項不予評論。