三星將與台積電合作生產英偉達內存芯片

三星電子將採用台積電的 3 奈米製程，為英偉達生產下一代定制 HBM 晶片基底裸片。這是三星首次在 HBM 製造階段與台積電合作。

英偉達要求三星、SK 海力士和美光科技採用台積電工藝製造 NVHBM 基底裸片，並使用第六代 DRAM 技術。三星計劃繼續自主生產標準 HBM 和其他客戶的定制產品。