三星得州新廠為 AMD 和英偉達生產芯片

三星電子將在美國德克薩斯州泰勒市建設第二座晶圓代工廠，為 AMD 和英偉達生產高帶寬內存芯片的基礎裸片。該工廠預計本月動工，採用 2 奈米製程技術，占地約 270 萬平方英尺，規模為首座工廠的 1.5 倍。

預計 2029 年 2 月安裝設備，2030 年啟動量產。